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1 1、输入90-264V50/60Hz2、输出30-42V430mA3、效率>85%
4、PF值>0.92THD<10%
5、PCB尺寸260x18x10mm SFL950IC特性
1、外驱MOS管,SOT23-6封装
2、PSR准谐振控制模式,无光耦,无4313、±4%的输出恒流精度
4、专利的‘Super-PFC/PSRTM’技术,PF值>0.925、专利的‘Min-THDTM’技术,THD<10%
6、内置90KHz铅频,EMI性能良好
7、内置软启动,超低启动电流,管脚浮空保护
8、输出OVP,OLP,VDD过压,欠压及钳位保护,LED短路/开路保护。

2 SFL950IC应用领域
1、LED灯管,射灯,筒灯,球泡灯,吸顶灯等等。

3 Description输入电压输入频率输入电流PF值THD 输出CV模式输出电流输出功率 输出纹波电流 效率 传导(EMI)辐射(EMI) 安全 产品电性详述 描述ViFiIi VoutIoutPout Vripple Efficiency 最小90470.9230417 85 典型50/60 最大264630.3 1042 单位VACHz APF%
V CommentL,
N Input:90V-264VInput:90V-264VInput:90V-264VInput:90V-264V 430443mA Input:90V-264V 18200 EN55015
W Input:90V-264V 输出V+,V- mAP-
P CV:42V@TA=25℃ 20MHz带宽,输出并0.1uF瓷片电容 +10uF电解电容 PCB板端VIN=115VACand % 230VAC CV=42V(TA=25℃) EN55015符合安规要求
4 电路原理图 R2F1 L2
L MOV1
N L1 R1 CX1R13R14 R5 R3LF1R4 R6 R7 L3D3D4 CX2 R8 D2D1R20 R17 C1C2 R21 C7R22 C2D8 T1 R12 D6 D7 Q1 R10 R11 LF2C8C9R23 GND R15R16 U1 CSGATE D5R9 GNDVDD C3 COMPFB R18 C11C5R19 C4 C6 CY1 GND Vo+ C10 Vo-
5 PCBA图 PCBA尺寸长260x宽18x高10mm
6 基本性能测试数据 输入电压(V) 90/60Hz 115/60Hz 230/50Hz 264/50Hz 待机(mW) 90 120 270 370 输出电压(CV) 30.0033.0036.0039.0042.0030.0033.0036.0039.0042.0030.0033.0036.0039.0042.0030.0033.0036.0039.0042.00 输出电流(A) 0.4390.4370.4350.4340.4320.4380.4370.4350.4330.4310.4530.4500.4470.4450.4420.4570.4540.4520.4490.446 POUT(W) 13.1714.4215.6616.9318.1413.1414.4215.6616.8918.1013.5914.8516.0917.3618.5613.7114.9816.2717.5118.73 效率(%) 86.0285.8385.5385.2484.7887.6287.6787.6587.4987.2688.7288.0488.2788.4388.6288.2888.6589.0588.2688.50
7 输出短路平均效率满载PF值THD (W) η(%) (%) 0.26 85.48 0.991 3.3 0.29 87.54 0.994 5.5 0.43 88.42 0.964 7.8 0.48 88.55 0.947 9.0 注:以上测试数据在裸板条件下 序号
123 名称贴片电容贴片电容贴片电容
4 贴片电阻
5 贴片电阻
6 贴片电阻
7 贴片电阻
8 贴片电阻
9 贴片电阻 10 贴片电阻 11 贴片电阻 12 贴片电阻 13 贴片电阻 14 贴片电阻 15 贴片电阻 16 贴片电阻 17 贴片电阻 18 贴片电阻 19 插件二极管 20 插件二极管 21 插件二极管 BOM
清单 规格2.2nF/1000V1206X7R10% 1uF/25V0805X7R10%470pF/250V1206X7R10% 5.6k08055%2M12065% 470K12065%2.2R08055%100R12065%10K08055%22R12065%220K12065%2.2R12061%2.4R12061%100R08051%91K08051%15K08051% OR12065%33K12065%1N4007DO-411000V1AFR107DO-411000V1AHER304DO-201AD300V3A
8 数量111221 1 1 132 2111111511 位号C2C4C7 R1R2R3R4R8R20 R9 R10R11R12R21R22R13R14 R15R16R17R18R19R24R23D1D2D3D4D6D5D8 备注 BOM清单 22 玻璃管保险管 2A/250V3.6*10mm
1 23 工字电感 6*8mm1.0mH
2 24 工字电感 8*10mm2.0mH
1 25 共模电感 EE100.2mm95Ts30mHMin
1 26 共模电感 T9*5*37Ts47uHMin
1 27 压敏电阻 07D471K
1 28 安规电容 X247nF/275VacP=10mm
1 29 安规电容 X2100nF/275VacP=10mm
1 30 安规电容 Y11nF/275VacP=10mm
1 31 CBB电容 47nF/400VP=10mm
1 32 电解电容 10uF/50V105℃5*10mm20%
1 33 电解电容 270uF/50VLowesr105℃10*20mm
2 20% 34 IC SFL950SOT23-6赛威
1 35 MOSFET FQPF5N60C5A/600VTO-220F
1 FAIRCHILD 36 变压器 EDR28095+2LP=500uH±8%
1 37 PCB板 FR-4260mm*18mmT=1.0mm
1 元件总数49PCS
9 F1L1L2 L3LF1LF2MOV1CX1CX2CY1C1C2C6 C8C9U1 Q1T1 变压器绕法 原理图
1 初级 3 4
5 反馈
2 11Ts25Ts6Ts 6 14Ts次级
7 磁芯用0.2mm镀锡线接2脚 S1 电性规格书:
1.电感量1-4=0.5mH±8%@1KHz0.25V2.漏感<25uH@10KHz0.25V3.耐压测试=3.75KV5mA1Min 材料要求:
1.磁芯:EDR2809(TDKPC40或同等材质) Ae=82mm²
2.骨架:EDR28095+2PIN3.初级:2-UEW漆包线
4.次级:三层绝缘线
5.绝缘胶带:3M1298或同等材质成品要求:
1.浸凡立水 骨架方向和脚位顺序 绕线方向指南示意图 3PIN7PIN6PIN5PIN3PIN4PIN 2UEW0.25mmx111Ts–初级(顺绕)一层密绕 三层绝缘线(顺绕)0.3mmx1P7Ts–次级一层密绕 三层绝缘线(顺绕)0.3mmx1P7Ts–次级一层密绕 2UEW0.20mmx2P6Ts–反馈(顺绕)一层密绕 2UEW0.25mmx1P12Ts–初级(顺绕)一层密绕 2UEW0.25mmx1P13Ts–初级(顺绕)一层密绕 EDR2809骨架槽宽4.0mm 10 1PIN 2TsTape 2TsTape 2TsTape 2PIN 2TsTape 关键波形 90V/60HzACFULLLOAD开机启动时间1.1S264V/50HzACFULLLOAD开机启动时间390mS 90V/60HzAC输出短路Vds电压 264V/50HzAC输出短路Vds电压 11 关键波形 90VAC/60HzFULLLOADCH4:Vds,CH1:Vcs 90VAC/60HzFULLLOADCH4:Vds,CH1:Vcs 264V/50HzACFULLLOADCH1:Vds,CH1:Vs 264V/50HzACFULLLOADCH1:Vds,CH1:Vs 12 90V/60HzAC空载Vds 关键波形 264V/50HzAC空载Vds 90V/60HzACFULLLOAD输出电流纹波 264V/50HzACFULLLOAD输出电流纹波 13 EMI(传导) 230V/50HzFULLLOAD传导L线测试标准EN55015 230V/50HzFULLLOAD传导N线 1414 EMI(辐射) 230V/50HzFULLLOAD辐射垂直方向测试标准EN55015 230V/50HzFULLLOAD辐射水平方向 15 关键元器件温度测试 关键器件 变压器磁芯(T1)变压器线包(T1)芯片(U1)输出整流二极管(D8)MOSFET(Q1)共模电感(LF1)环境温度 Vin=90V,输出CV=42V 器件温度(℃) 温升(℃) 89.0 24.0 89.4 24.4 77.6 12.6 82.8 17.8 94.5 29.5 86.0 21.0 65 Vin=264V
,输出CV=42V 器件温度(℃) 温升(℃) 86.5 21.5 86.7 21.7 79.8 14.8 84.3 19.3 96.8 31.8 85.0 20.0 65 16 应用指导 PCB
Layout注意事项
1、PCBLayout时地线尽可能短,IC的地和变压器的地分开接地。

2、控制电路上所有的地先连起来然后一起连到输入滤波电容的地。

3、DEM上下偏电阻要靠近DEM脚,可以降低噪音耦合。

4、VDD脚的电容要尽量靠近VDD脚,得到好的去耦效果。

5、COMP电容尽量靠近芯片放置。
变压器注意事项
1、变压器设计时反射电压Vro按照100V计算,占空比≤50%设计。

2、变压器磁芯用裸铜线接地。
17 联系我们 赛威科技网站:销售和FAE:sales@ 赛威科技深圳商务中心: 深圳市南山区科技园高新南一道创维大厦C座802室Tel:0755-26942291Fax:0755-26942403 我们竭诚为您提供最优质的服务!
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